Рӯзи 26-ум Power Cube Semi аз коркарди бомуваффақияти аввалин нимноқили 2300В SiC (Cilicon Carbide) MOSFET дар Кореяи Ҷанубӣ эълон кард.
Дар муқоиса бо нимноқилҳои мавҷудаи Si (Silicon), SiC (Cilicon Carbide) метавонад ба шиддати баланд тоб оварад ва аз ин рӯ ҳамчун дастгоҳи насли оянда истиқбол карда мешавад, ки ояндаи нимноқилҳои барқро пеш мебарад.Он ҳамчун ҷузъи муҳими зарурӣ барои ҷорӣ кардани технологияҳои муосир, ба монанди паҳншавии мошинҳои барқӣ ва тавсеаи марказҳои маълумот, ки аз ҷониби зеҳни сунъӣ идора карда мешавад, хидмат мекунад.
Power Cube Semi як ширкати афсонавӣ аст, ки дастгоҳҳои нимноқилҳои барқро дар се категорияи асосӣ таҳия мекунад: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon) ва Ga2O3 (Oxide Gallium).Ба наздикӣ, ширкат ба як ширкати ҷаҳонии мошинҳои барқӣ дар Чин диодҳои пуриқтидори Schottky Barrier (SBDs) -ро татбиқ ва фурӯхт ва бо тарҳрезӣ ва технологияи нимноқилҳои худ эътироф кард.
Нашри 2300V SiC MOSFET ҳамчун аввалин чунин парвандаи рушд дар Кореяи Ҷанубӣ қобили таваҷҷӯҳ аст.Infineon, як ширкати ҷаҳонии нимноқилҳои нерӯи барқ, ки дар Олмон воқеъ аст, низ моҳи марти соли ҷорӣ эълон кард, ки маҳсулоти 2000В-и худ, аммо бидуни маҷмӯи маҳсулоти 2300В.
2000V CoolSiC MOSFET Infineon, ки бастаи TO-247PLUS-4-HCC-ро истифода мебарад, ба талабот ба зичии баландтари нерӯи барқ дар байни тарроҳон қонеъ карда, эътимоднокии системаро ҳатто дар шароити шадиди шиддати баланд ва басомади гузариш таъмин мекунад.
CoolSiC MOSFET шиддати баландтари пайванди ҷараёни мустақимро пешниҳод мекунад, ки имкон медиҳад нерӯи барқро бидуни афзоиши ҷараён афзоиш диҳад.Ин аввалин дастгоҳи дискретии карбиди кремний дар бозор бо шиддати шикасти 2000В мебошад, ки бастаи TO-247PLUS-4-HCC бо масофаи 14 мм ва тозакунии 5,4 мм истифода мебарад.Ин дастгоҳҳо талафоти ками коммутатсионӣ доранд ва барои барномаҳое, аз қабили инвертерҳои сатри офтобӣ, системаҳои нигоҳдории энергия ва пуркунии мошинҳои барқӣ мувофиқанд.
Силсилаи маҳсулоти CoolSiC MOSFET 2000V барои системаҳои автобуси баландшиддати DC то 1500В DC мувофиқ аст.Дар муқоиса бо 1700V SiC MOSFET, ин дастгоҳ маржаи кофии изофабориро барои системаҳои 1500V DC таъмин мекунад.CoolSiC MOSFET шиддати ҳадди ниҳоии 4.5V-ро пешниҳод мекунад ва бо диодҳои бадан барои коммутатсионӣ сахт муҷаҳҳаз шудааст.Бо технологияи пайвасти .XT, ин ҷузъҳо иҷрои аълои гармӣ ва муқовимат ба намии қавӣ пешниҳод мекунанд.
Илова ба 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon ба зудӣ диодҳои иловагии CoolSiC-ро, ки дар бастаҳои TO-247PLUS 4-pin ва TO-247-2 баста шудаанд, дар семоҳаи сеюми соли 2024 ва семоҳаи охири соли 2024 ба кор медарорад.Ин диодҳо махсусан барои барномаҳои офтобӣ мувофиқанд.Комбинатсияҳои мувофиқи маҳсулоти ронандаи дарвоза низ мавҷуданд.
Силсилаи маҳсулоти CoolSiC MOSFET 2000V ҳоло дар бозор дастрас аст.Ғайр аз он, Infineon тахтаҳои мувофиқи арзёбиро пешниҳод мекунад: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Таҳиягарон метавонанд ин тахтаро ҳамчун платформаи дақиқи умумии санҷиш барои арзёбии ҳама MOSFETs CoolSiC ва диодҳои ба 2000В, инчунин ронандаи дарвозаи изолятсияи ягонаи EiceDRIVER 1ED31xx силсилаи маҳсулот тавассути амалиёти дугонаи импульс ё пайвастаи PWM истифода баранд.
Гунг Шин-су, Сармутахассиси технологияи Power Cube Semi, изҳор дошт, "Мо тавонистем таҷрибаи мавҷудаи худро дар таҳия ва истеҳсоли оммавии 1700V SiC MOSFETs то 2300В васеъ кунем.
Вақти фиристодан: апрел-08-2024