Қабули дастгоҳи барқии нитриди галлий (GaN) ба таври назаррас афзоиш меёбад, ки онро фурӯшандагони электроникаи маишии чинӣ роҳбарӣ мекунанд ва интизор меравад, ки бозори дастгоҳҳои барқии GaN то соли 2027 ба 2 миллиард доллар мерасад, ин аз 126 миллион доллар дар соли 2021. Дар ҳоли ҳозир, бахши электроникаи маишӣ омили асосии қабули нитриди галлий, бо пешгӯии агентӣ, ки талабот ба нерӯи GaN дар бозори электроникаи маишӣ аз 79,6 миллион доллар дар соли 2021 то 964,7 миллион доллар дар соли 2027 афзоиш хоҳад ёфт, ки суръати афзоиши солонаи солона 52 фоизро ташкил медиҳад.
Дастгоҳҳои GaN устувории баланд, муқовимати хуби гармӣ, гузаронандагии барқ ва паҳншавии гармӣ доранд.Дар муқоиса бо ҷузъҳои кремний, дастгоҳҳои GaN зичӣ ва ҳаракати электронии баландтар доранд.Дастгоҳҳои GaN асосан дар бозори электроникаи маишӣ барои пуркунии зуд, инчунин алоқа ва барномаҳои фарохмаҷро истифода мешаванд.
Инсайдерони соҳа гуфтанд, ки дар ҳоле ки бозори электроникаи маишӣ заиф боқӣ мемонад, дурнамои дастгоҳҳои GaN дурахшон боқӣ мемонад.Барои бозори GaN, истеҳсолкунандагони чинӣ дар минтақаҳои истеҳсоли субстрат, эпитаксиалӣ, тарроҳӣ ва шартномавӣ ҷойгир шудаанд.Ду истеҳсолкунандаи муҳимтарин дар экосистемаи GaN Чин Innoseco ва Xiamen SAN 'an IC мебошанд.
Дигар ширкатҳои чинӣ дар бахши GaN истеҳсолкунандаи субстрат Suzhou Nawei Technology Co., LTD., Dongguan Zhonggan Semiconductor Technology Co., LTD., таъминкунандаи эпитакси Suzhou Jingzhan Semiconductor Co., LTD., Jiangsu Nenghua Microelectronics Technology Development Co., LTD мебошанд. , ва Chengdu Haiwei Huaxin Technology Co., LTD.
Технологияи Suzhou Nawei ӯҳдадор аст, ки ба тадқиқот, таҳия ва саноатсозии нитриди галлий (GaN) субстрати монокристаллӣ, маводи асосии нимноқили насли сеюм аст.Пас аз кӯшишҳои 10-сола, Nawei Technology истеҳсоли як кристалл 2-дюймаи нитриди галлиумро амалӣ кард, коркарди технологияи муҳандисии маҳсулоти 4-дюймаро анҷом дод ва технологияи калидии 6-дюймаро шикаст.Ҳоло он ягона дар Чин ва яке аз камтарин дар ҷаҳон аст, ки метавонад маҳсулоти монокристалии 2 дюймии нитриди галлиумро ба таври оммавӣ таъмин кунад.Индекси иҷрои маҳсулоти нитриди галлий дар ҷаҳон пешсаф аст.Дар 3 соли оянда, мо ба табдил додани бартарии аввалиндараҷаи технология ба бартарии бозори ҷаҳонӣ тамаркуз хоҳем кард.
Вақте ки технологияи GaN ба камол мерасад, барномаҳои он аз маҳсулоти пуркунандаи зуд барои электроникаи маишӣ то манбаъҳои барқ барои PCS, серверҳо ва TVS васеъ мешаванд.Онҳо инчунин дар пуркунандаи мошинҳо ва конвертерҳо барои мошинҳои электрикӣ васеъ истифода мешаванд.
Вақти фиристодан: апрел-18-2023