Вафли 3 дюйм 76,2 мм 4H-Nim SiC субстрат вафли кремний карбиди нимтаҳқиркунандаи SiC

Вафли субстрати 3-дюймаи 4H нимноқилшудаи SiC (карбиди кремний) як маводи нимноқилҳои маъмулан истифодашаванда мебошанд. 4H сохтори кристаллии тетрагексаэдро нишон медиҳад. Ним изолятсия маънои онро дорад, ки субстрат дорои хусусиятҳои муқовимати баланд аст ва метавонад то андозае аз ҷараёни ҷорӣ ҷудо карда шавад.

Чунин пластинкахои субстрат характеристика-хои зерин доранд: кобилияти баланди хароратгузаронй, кам талафоти гузаронанда, му-кобилати аълои харорати баланд, устувории аълои механикй ва химиявй. Азбаски карбиди кремний холигии васеи энергетикӣ дорад ва метавонад ба ҳарорати баланд ва шароити баланди майдони электрикӣ тоб оварад, вафли нимизолятсияи 4H-SiC дар электроникаи барқ ​​​​ва дастгоҳҳои басомади радио (RF) васеъ истифода мешавад.

Барномаҳои асосии вафли нимизолятсияи 4H-SiC иборатанд аз:

1--Электроникаи барқ: Вафли 4H-SiC-ро барои истеҳсоли дастгоҳҳои коммутатсионӣ ба монанди MOSFETs (Транзисторҳои Таъсири Майдони Металл Оксид), IGBTs (Транзисторҳои изолятсионии Дарвозаи Биполярӣ) ва диодҳои Шоттки истифода бурдан мумкин аст. Ин дастгоҳҳо талафоти интиқол ва коммутатсионӣ дар муҳити баландшиддат ва ҳарорати баланд доранд ва самаранокӣ ва эътимоднокии баландтарро пешниҳод мекунанд.

2 - Дастгоҳҳои басомади радио (RF): Вафли нимизолятсияи 4H-SiC метавонад барои тавлиди нерӯи баланд, пурқувваткунакҳои баландбасомади РБ, резисторҳои чип, филтрҳо ва дигар дастгоҳҳо истифода шавад. Карбиди кремний аз сабаби суръати баланди гардиши электронии он ва гузариши гармии баландтар дорои иҷрои беҳтари басомади баланд ва устувории гармӣ мебошад.

3 - Дастгоҳҳои оптоэлектронӣ: Вафли нимизолятсияи 4H-SiC метавонанд барои истеҳсоли диодҳои лазерии пурқувват, детекторҳои нури ултрабунафш ва микросхемаҳои интегралии оптоэлектронӣ истифода шаванд.

Дар робита ба самти бозор, талабот ба вафли нимизолятсияи 4H-SiC бо афзоиши соҳаҳои электроникаи энергетикӣ, RF ва оптоэлектроника меафзояд. Ин ба он вобаста аст, ки карбиди кремний дорои доираи васеи барномаҳо, аз ҷумла самаранокии энергетикӣ, мошинҳои барқӣ, энергияи барқароршаванда ва коммуникатсия мебошад. Дар оянда, бозори вафли нимизолятсияи 4H-SiC хеле умедбахш боқӣ мемонад ва интизор меравад, ки маводи анъанавии кремнийро дар барномаҳои гуногун иваз кунад.