4 дюйм Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43мм 0,65мм
Барномаҳо
● Субстрати афзоиш барои пайвастагиҳои III-V ва II-VI.
● Электроника ва оптоэлектроника.
● Барномаҳои IR.
● Silicon On Sapphire Integrated Circuit(SOS).
● Схемаи интегралии радиобасомад (RFIC).
Дар истеҳсоли LED, вафли сапфир ҳамчун субстрат барои афзоиши кристаллҳои нитриди галлий (GaN) истифода мешавад, ки ҳангоми татбиқи ҷараёни барқ нур мебароранд.Сапфир як маводи беҳтарин барои афзоиши GaN мебошад, зеро он дорои сохтори кристаллӣ ва коэффисиенти васеъшавии гармидиҳӣ ба GaN мебошад, ки камбудиҳоро кам мекунад ва сифати кристаллро беҳтар мекунад.
Дар оптика, вафли сапфир ҳамчун тиреза ва линзаҳо дар муҳити фишори баланд ва ҳарорати баланд, инчунин дар системаҳои тасвири инфрасурх аз сабаби шаффофият ва сахтии онҳо истифода мешаванд.
Мушаххасот
| Адад | 4-дюймаи C-ҳавопаймо (0001) 650μm Sapphire Wafers | |
| Маводҳои кристаллӣ | 99,999%, тозагии баланд, монокристаллӣ Al2O3 | |
| Синф | Prime, Epi-Ready | |
| Самти рӯизаминӣ | C-ҳавопаймо (0001) | |
| C-ҳавопаймои берун аз кунҷи ба сӯи меҳвари M 0,2 +/- 0,1° | ||
| Диаметр | 100,0 мм +/- 0,1 мм | |
| Ғафсӣ | 650 мкм +/- 25 мкм | |
| Самти ибтидоии ҳамвор | A-ҳавопаймо(11-20) +/- 0,2° | |
| Дарозии ибтидоии ҳамвор | 30,0 мм +/- 1,0 мм | |
| Яктарафаи яктарафа | Сатҳи пеши | Эпи-полишшуда, Ra <0,2 нм (аз ҷониби AFM) |
| (SSP) | Сатҳи қафо | Замини хуб, Ra = 0,8 мкм то 1,2 мкм |
| Дуҷонибаи дукарата | Сатҳи пеши | Эпи-полишшуда, Ra <0,2 нм (аз ҷониби AFM) |
| (DSP) | Сатҳи қафо | Эпи-полишшуда, Ra <0,2 нм (аз ҷониби AFM) |
| TTV | < 20 мкм | |
| КАМОН | < 20 мкм | |
| WARP | < 20 мкм | |
| Тозакунӣ / бастабандӣ | Синфи 100 тозакунии ҳуҷраи тоза ва бастабандии чангкашак, | |
| 25 дона дар як бастаи кассета ё бастаи як дона. | ||
Бастабандӣ ва интиқол
Умуман, мо бастаро бо қуттии кассетаи 25 дона таъмин мекунем;Мо инчунин метавонем бо як контейнери вафли зери утоқи тозакунии дараҷаи 100 мувофиқи талаботи муштарӣ бастабандӣ кунем.
Диаграммаи муфассал
