4дюймаи нимтаҳқиркунандаи SiC вафли HPSI SiC субстрати Prime Production

4 дюйм вафли нимтаҳқиркунандаи SiC субстрати HPSI SiC Тасвири тавсифшудаи дараҷаи истеҳсолӣ

Тавсифи кӯтоҳ:

Лавҳаи сайқалдиҳии дутарафаи карбиди 4-дюймаи баландсифати нимизолятсияи кремний асосан дар алоқаи 5G ва дигар соҳаҳо бо бартариҳои беҳтар кардани диапазони басомади радио, шинохти фосилаи ултра дароз, зидди халалдоршавӣ, баландсуръат истифода мешавад. , интиқоли иттилооти дорои иқтидори калон ва дигар барномаҳо, ва ҳамчун субстрати беҳтарин барои сохтани дастгоҳҳои барқии микроволновка ҳисобида мешавад.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Мушаххасоти маҳсулот

Карбиди кремний (SiC) як маводи нимноқили мураккабест, ки аз элементҳои карбон ва кремний иборат аст ва яке аз маводи беҳтарин барои сохтани дастгоҳҳои ҳарорати баланд, басомади баланд, нерӯи баланд ва баландшиддат мебошад. Дар муқоиса бо маводи анъанавии кремний (Si), паҳнои манъшудаи бандҳои карбиди кремний се маротиба аз кремний аст; гармигузаронй нисбат ба кремний 4—5 маротиба зиёд аст; шиддати вайроншавӣ 8-10 маротиба аз кремний; ва суръати дрифтсияи электронии 2-3 маротиба аз кремний аст, ки ба талаботи саноати муосир ба қудрати баланд, баландшиддат ва басомади баланд ҷавобгӯ аст ва он асосан барои баландсуръат, баландсуръат истифода мешавад. басомад, ҷузъҳои электронии дорои нерӯи баланд ва рӯшноӣ ва минтақаҳои татбиқи он аз шабакаи интеллектуалӣ, мошинҳои нави энергетикӣ, нерӯи шамоли фотоэлектрикӣ, алоқаи 5G ва ғайра иборатанд. дастгоҳҳои энергетикӣ, диодҳои карбиди кремний ва MOSFETҳо ба тиҷорат шурӯъ карданд.

Афзалиятҳои вафли SiC/SiC субстрат

Муқовимат ба ҳарорати баланд. Паҳнои банди манъшудаи карбиди кремний аз 2-3 маротиба аз кремний аст, аз ин рӯ электронҳо дар ҳарорати баланд ҷаҳидан камтаранд ва метавонанд ба ҳарорати баландтари корӣ тоб оранд ва гузарониши гармии карбиди кремний аз кремний 4-5 маротиба зиёдтар аст. пароканда кардани гармиро аз дастгоҳ осонтар мекунад ва ба ҳарорати баландтари маҳдудкунандаи корӣ имкон медиҳад. Хусусиятҳои ҳарорати баланд метавонад зичии нерӯи барқро ба таври назаррас афзоиш диҳад, дар ҳоле ки талаботро ба системаи паҳнкунии гармӣ коҳиш диҳад ва терминалро сабуктар ва хурдтар кунад.

Муқовимати шиддати баланд. Қувваи майдони шикастани карбиди кремний нисбат ба кремний 10 маротиба зиёдтар аст ва ба он имкон медиҳад, ки ба шиддатҳои баланд тоб оварад ва онро барои дастгоҳҳои баландшиддат мувофиқтар кунад.

Муқовимат ба басомади баланд. Карбиди кремний дорои ду маротиба суръати тобиши электронии кремний аст, ки дар натиҷа дастгоҳҳои он дар раванди қатъшавӣ дар падидаи кашиши кунунӣ вуҷуд надорад, метавонад басомади ивазкунии дастгоҳро ба таври муассир такмил диҳад, то ба миниатюризатсияи дастгоҳ ноил шавад.

Талафоти ками энергия. Карбиди кремний дар муқоиса бо маводи кремний муқовимати хеле паст дорад, талафоти гузарониши паст; дар айни замон, маҷрои баланди карбиди кремний ҷараёни ихроҷ, талафоти нерӯро ба таври назаррас коҳиш медиҳад; илова бар ин, дастгоҳҳои карбиди кремний дар раванди хомӯшӣ дар падидаи кашолакунӣ мавҷуд нест, талафоти ками коммутатсионӣ.