3inch Dia76.2mm SiC субстратҳои HPSI Prime Research ва дараҷаи Dummy

Субстрати интиқолдиҳанда: ба муқовимати субстрати карбиди кремний 15 ~ 30 мΩ-см дахл дорад. Вафери эпитаксиалии карбиди кремний, ки аз субстрати карбиди кремний парвариш карда мешавад, минбаъд ба дастгоҳҳои энергетикӣ табдил дода мешавад, ки дар мошинҳои нави энергетикӣ, фотоэлектрикҳо, шабакаҳои интеллектуалӣ ва нақлиёти роҳи оҳан васеъ истифода мешаванд.

Субстрати нимизолятсия ба муқовимати баландтар аз 100000Ω-см субстрати карбиди кремний дахл дорад, ки асосан дар истеҳсоли дастгоҳҳои радиобасомади микромавҷи галлий истифода мешавад, асоси соҳаи алоқаи бесим мебошад.

Он ҷузъи асосӣ дар соҳаи алоқаи бесим мебошад.

Субстратҳои гузаранда ва нимизолятсияи карбиди кремний дар доираи васеи дастгоҳҳои электронӣ ва дастгоҳҳои энергетикӣ истифода мешаванд, аз ҷумла, вале бо маҳдуд накардани зерин:

Таҷҳизоти нимноқили пуриқтидор (ноқилӣ): Зерҳои карбиди кремний дорои қувваи баланди майдони шикаста ва гармигузаронӣ мебошанд ва барои истеҳсоли транзисторҳо ва диодҳои пурқувват ва дигар дастгоҳҳо мувофиқанд.

Таҷҳизоти электронии РБ (ним изолятсияшуда): Субстратҳои кремнийи карбид дорои суръати баланди гузариш ва таҳаммулпазирии қувва мебошанд, ки барои барномаҳое ба мисли пурқувваткунандаи барқи РБ, дастгоҳҳои печи печи ва коммутаторҳои басомади баланд мувофиқанд.

Таҷҳизоти оптоэлектронӣ (ним изолятсия): Субстратҳои карбиди кремний дорои холигии васеи энергетикӣ ва устувории баланди гармӣ мебошанд, ки барои сохтани фотодиодҳо, ҳуҷайраҳои офтобӣ ва диодҳои лазерӣ ва дигар дастгоҳҳо мувофиқанд.

Датчикҳои ҳарорат (ноқилона): Субстратҳои карбиди кремний дорои қобилияти баланди гармӣ ва устувории гармӣ мебошанд, ки барои истеҳсоли сенсорҳои ҳарорати баланд ва асбобҳои андозагирии ҳарорат мувофиқанд.

Раванди истеҳсол ва татбиқи субстратҳои гузаранда ва нимизолятсияи карбиди кремний дорои доираи васеи майдонҳо ва потенсиалҳо мебошад, ки барои рушди дастгоҳҳои электронӣ ва дастгоҳҳои энергетикӣ имкониятҳои нав фароҳам меорад.