Маҳсулот
-
4H-N 4 дюйм вафли субстрати SiC, дараҷаи тадқиқотии истеҳсоли силикон карбиди
-
Дақиқии баланд Dia50x5mmt Sapphire Windows Муқовимат ба ҳарорати баланд ва сахтии баланд
-
6дюймаи 150мм кремний карбиди SiC вафли 4H-N барои тадқиқоти истеҳсолии MOS ё SBD ва дараҷаи dummy
-
Қадами сӯрохиҳо Dia25.4 × 2.0mmt Sapphire тирезаҳои линзаи оптикӣ
-
2дюймаи 50,8 мм қуттии ягонаи вафли компютер ва PP
-
Унсурҳои оптикии равзанаи Sapphire пӯшонидашуда мушаххасоти бисёрҳаҷм Тирезаи инфрасурхи оптикӣ
-
2 дюймаи 50,8 мм вафли германии як кристалл 1SP 2SP
-
3дюймаи 4 дюймаи 6дюймаи LiNbO3 вафли субстрати ягонаи кристаллӣ
-
2дюймаи 50,8 мм қуттии ягонаи вафли компютер ва PP
-
8 дюймаи Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN вафли
-
50,8 мм 2 дюйм GaN дар сапфири қабати қабати вафли
-
2 дюйм 50,8 мм Sapphire Wafer C-Plane M-ҳавопаймо R-ҳавопаймо A-ҳавопаймо Ғафсӣ 350um 430um 500um