Линзаи оптикии Sic 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI Андозаи фармоишӣ

1. Индекси баланди шикаст ва равзанаи васеи интиқол: Линзаҳои оптикии SiC бо нишондиҳандаи шикасти тақрибан 2.6-2.7 дар тамоми спектри амалиётии худ самаранокии истисноии оптикиро нишон медиҳанд. Ин равзанаи васеи интиқол (600-1850 нм) ҳам минтақаҳои намоён ва ҳам минтақаҳои наздики инфрасурхро дар бар мегирад, ки онҳоро барои системаҳои тасвирии бисёрспектрӣ ва барномаҳои оптикии васеъпаҳно махсусан арзишманд мегардонад. Коэффисиенти пасти ҷабби мавод дар ин диапазонҳо коҳиши ҳадди ақали сигналро ҳатто дар барномаҳои лазерии пуриқтидор таъмин мекунад.

2. Хусусиятҳои оптикии ғайрихаттӣ: Сохтори беназири кристаллии карбиди кремний ба он коэффитсиентҳои оптикии ғайрихаттии назаррас (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m2/V2) медиҳад, ки равандҳои самараноки табдили басомадро имконпазир мегардонад. Ин хосиятҳо дар барномаҳои муосир, ба монанди осцилляторҳои параметрии оптикӣ, системаҳои лазерии ултратез ва дастгоҳҳои коркарди сигналҳои пурра оптикӣ фаъолона истифода мешаванд. Остонаи баланди зарари мавод (>5 GW/cm2) мутобиқати онро барои барномаҳои баландшиддат боз ҳам беҳтар мекунад.

3. Устувории механикӣ ва гармӣ: Бо модули эластикӣ ба 400 ГПа наздик ва гузаронандагии гармӣ аз 300 Вт/м·К зиёд, ҷузъҳои оптикии SiC дар зери фишори механикӣ ва даври гармӣ устувории истисноиро нигоҳ медоранд. Коэффисиенти хеле пасти васеъшавии гармӣ (4.0 × 10-6/К) бо тағирёбии ҳарорат тағйироти ҳадди ақали фокусиро таъмин мекунад, ки ин як бартарии муҳим барои системаҳои оптикии дақиқ, ки дар муҳитҳои гармии тағйирёбанда, ба монанди барномаҳои кайҳонӣ ё таҷҳизоти коркарди лазерии саноатӣ кор мекунанд, мебошад.

4. Хусусиятҳои квантӣ: Марказҳои рангии холигии кремний (VSi) ва дивакансия (VSiVC) дар политипҳои 4H-SiC ва 6H-SiC ҳолатҳои спинии оптикӣ бо вақтҳои когерентии дароз дар ҳарорати хонагӣ нишон медиҳанд. Ин эмиттерҳои квантӣ ба шабакаҳои квантии миқёспазир муттаҳид карда мешаванд ва махсусан барои таҳияи сенсорҳои квантии ҳарорати хонагӣ ва дастгоҳҳои хотираи квантӣ дар меъмории ҳисоббарории квантии фотонӣ умедбахшанд.

5. Мутобиқати CMOS: Мутобиқати SiC бо равандҳои стандартии истеҳсоли нимноқилҳо имкон медиҳад, ки ҳамгироии мустақими монолитӣ бо платформаҳои фотоникии кремний имконпазир гардад. Ин имкон медиҳад, ки системаҳои фотоникии гибридӣ эҷод карда шаванд, ки бартариҳои оптикии SiC-ро бо функсияҳои электронии кремний муттаҳид мекунанд ва имкониятҳои навро барои тарҳрезии система дар чип дар барномаҳои ҳисоббарории оптикӣ ва сенсорӣ мекушоянд.