Шуои карбиди силикон

Тавсифи мухтасар:

Шуоъҳои карбиди кремний (SiC) ҷузъҳои пешрафтаи сохтории керамикӣ мебошанд, ки аз ашёи хоми карбиди кремнийи тозаи баланд тавассути пайванди реактивӣ, синтези бе фишор ё равандҳои аз нав кристаллизатсия истеҳсол карда мешаванд. Шуоъҳои SiC, ки бо қувваи истисноии худ ба ҳарорати баланд, муқовимати оксидшавӣ ва муқовимати зарбаи гармӣ маъруфанд, ба унсурҳои ҳатмии борбардор дар кӯраҳои саноатии муосир ва таҷҳизоти коркарди гармӣ табдил ёфтаанд.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед

Вижагиҳо

Диаграммаи муфассал

Шарҳи маҳсулот

Дар кӯраҳои анъанавӣ, чӯбҳо аксар вақт аз хиштҳои оташгиранда ё маводҳои дар асоси алюминий сохташуда сохта мешаванд. Гарчанде ки чунин чӯбҳо арзон бошанд ҳам, дар ҳарорати баланд ба осонӣ деформатсия мешаванд, зуд мустаҳкам мешаванд ва мӯҳлати хизмати кӯтоҳ доранд. Баръакс, чӯбҳои SiC метавонанд дар ҳарорати 1380°C–1650°C пайваста кор кунанд ва ҳамзамон хосиятҳои механикии аълоро нигоҳ доранд. Мӯҳлати хизмати онҳо нисбат ба чӯбҳои анъанавӣ 5-10 маротиба дарозтар аст, ки хароҷоти нигоҳдорӣ, вақти корношоямӣ ва хароҷоти умумии амалиётиро ба таври назаррас коҳиш медиҳад.

Бартариҳои асосии иҷроиш

Муқовимат ба ҳарорати баланд

Қобилияти кори дарозмуддат дар ҳарорати болотар аз 1380°C, бо маводҳои пешрафтаи синтронидашудаи SiC то 1650°C.
Дар ҳарорати аз ҳад зиёд якпорчагии сохториро нигоҳ медорад, махсусан барои истифодаҳои борбардории васеъ дар кӯраҳои нақбӣ ва кӯраҳои ғалтакӣ мувофиқ аст.

Хусусиятҳои механикии аъло

Қувваи маъмулии хамшавӣ: 250–350 МПа, ки чанд маротиба аз чӯбҳои оташгирандаи анъанавӣ зиёдтар аст.
Сахтии баланд (Mohs ~ 9.0) муқовимати дарозмуддатро ба фарсудашавӣ ва деформатсия таъмин мекунад.
Муқовимати аълои хазидан аз фуруд омадан ё фурӯ рафтан дар давоми хидмати дарозмуддат пешгирӣ мекунад.

Муқовимати аълои зарбаи гармӣ

Ба давраҳои гармидиҳӣ ва хунуккунии босуръат бе кафидан тоб меорад.
Ба тағйирёбии ҳарорат аз 1000°C зиёд тоб меорад, ки барои танӯрҳое, ки зуд-зуд оғоз ва қатъ мешаванд, беҳтарин аст.

Муқовимат ба оксидшавӣ ва зангзанӣ

Ҳам ба муҳити кислотаӣ ва ҳам ба сілтӣ, инчунин ба муҳити оксидкунанда тобовар аст.
Дар ҳарорати баланд, сатҳҳои SiC як қабати муҳофизатии зичи SiO₂-ро ташкил медиҳанд, ки самаранок аз оксидшавии минбаъда муҳофизат мекунад.

Сабук ва сарфакунандаи энергия

Зичии он аз 2.6 то 3.1 г/см³ аст, ки аз пӯлод сабуктар аст ва бори танӯрро кам мекунад.
Гузаронандагии аълои гармӣ самаранокии интиқоли гармиро беҳтар мекунад, истеъмоли сӯзишвориро кам мекунад ва сӯхтани якхелаи маҳсулотро таъмин мекунад.

Мӯҳлати хидматрасонии васеъшуда

Мӯҳлати маъмулии хизматрасонӣ: 3-5 сол ё бештар аз он, дар муқоиса бо чӯбҳои оташгирандаи анъанавӣ танҳо 6-12 моҳ.
Кам кардани басомади ивазкунӣ вақти бекористӣ ва нигоҳдориро кам мекунад ва ҳосилнокиро афзоиш медиҳад.

Шаклҳо ва хусусиятҳои маҳсулот

Шуълаҳои SiC дар конфигуратсияҳои гуногун тарҳрезӣ шудаанд, то ба тарҳҳои гуногуни танӯр ва талаботи амалиётӣ мувофиқат кунанд:

Чӯбҳои чӯбии мудавварДиапазони диаметри Φ30–Φ80 мм; барои кӯраҳои сабук ва эҳтиёҷоти хурдтари борбардорӣ мувофиқ аст.
Чӯбҳои чоркунҷаи яклухтБуришҳои уфуқӣ аз 30×30 мм то 100×100 мм; барои борҳои вазнин ва масофаҳои дароз беҳтарин аст.
Чоркунҷаи холӣ / I-Beams: Сабук бо таносуби оптимизатсияшудаи қувват ба вазн; ба таври васеъ дар кӯраҳои калони нақбӣ ва кӯраҳои ғалтакӣ истифода мешавад.
Чӯбҳои шаклдори фармоишӣ: Мувофиқи расмҳои муштарӣ ва сохторҳои танӯр барои мутобиқати ҳадди аксар фармоишӣ сохта шудааст.

Дарозии стандартӣ: 500 мм – 4500 мм (андозаҳои дарозтар бо дархост дастрасанд).

Майдонҳои дархост

1. Саноати сафолӣ

Шуълаҳои карбиди кремний (SiC) дар кӯраҳои истеҳсоли сафолӣ, асосан барои ... васеъ истифода мешаванд.борбардорӣ, дастгирӣ ва интиқоли гармӣ.

Сафолии истифодаи ҳаррӯза: косаҳо, табақҳо, пиёлаҳо ва дигар чинӣҳои рӯзгор дар кӯраҳои нақбӣ ва кӯраҳои ғалтакӣ.
Керамикаи санитарӣ: ҳоҷатхонаҳо, дастшӯйхонаҳо ва дигар маҳсулоти калонҳаҷм, ки ҳангоми оташ задани дарозмуддат дар ҳарорати баланд қобилияти баланди борбардориро талаб мекунанд.
Керамикаи сохтмонӣ: плиткаҳои фаршӣ, плиткаҳои деворӣ ва плитаҳои калонҳаҷми керамикӣ, ки дар онҳо шуоъҳои SiC дастгирии устувор ва гармии якхеларо таъмин мекунанд.
Керамикаи техникӣ/сохторӣ: ба монанди сафолҳои алюминий ё нитриди кремний, ки ҳарорати хеле баланди сӯхтан ва давраҳои тӯлониро талаб мекунанд, ки мӯҳлати тӯлонии нурҳои SiC-ро муҳим мегардонад.

2. Саноати шиша

Танӯрҳои гармкунии шиша: сохторҳои дастгирикунанда барои шишаҳо, зарфҳои шишагӣ ва шишаи ҳамвор ҳангоми гармкунӣ.
Синтези шишаДар истеҳсоли шишаи махсус (шишаи оптикӣ, шишаи намоишӣ ва ғайра), шуоъҳои SiC устувории андоза ва интиқоли якхелаи гармиро таъмин мекунанд.

Бартариҳо: бе деформатсия, гармигузаронии зуд ва кам шудани нуқсонҳои маҳсулот, ки аз фишори нобаробар ба вуҷуд меоянд.

3. Саноати металлургӣ ва хока

Синтези металлургияи хокагӣқисмҳои сохторӣ аз оҳан, пӯлоди зангногир ва дигар хокаҳои металлӣ.
Маводҳои магнитӣ: магнитҳои ферритӣ, ки дар ҳарорати 1200–1400°C кор мекунанд, ба шуоъҳо бо муқовимати аълои зарбаи гармӣ ва мӯҳлати хизмати дароз ниёз доранд.
Маводҳои нодири замин: бирён кардани оксидҳои заминӣ ё карбонатҳои нодир, аксар вақт дар атмосфераҳои мураккаби кӯра.

Шуоъҳои SiC Excelдар муқовимат ба оксидшавӣ ва зангзанӣ, ки онҳоро барои муҳитҳои сахти металлургӣ мувофиқ мегардонад.

4. Маводҳои кимиёвӣ ва энергияи нав

Калсинатсияи катализатор: зеолитҳо, ҷубҳои молекулавӣ ва катализаторҳои нафтӣ, ки дар кӯраҳои кимиёвии ҳарорати баланд месӯзонида мешаванд.
Маводҳои нави энергетикӣ:
- Синтезатсияи маводҳои катодии батареяҳои литий (NCM, LFP).
- Сӯхтани энергияи гидроген ва маводи сӯхтани ҳуҷайраҳои сӯзишворӣ.

Фоидаҳо: кам кардани истеъмоли энергия, дарозтар шудани мӯҳлати хизмат ва беҳтар шудани мувофиқати маҳсулот.

Муқоиса бо чӯбҳои анъанавӣ

Амвол	Шуои SiC	Шуои оташгирандаи анъанавӣ
Ҳарорати корӣ	1380–1650°C	≤1200°C
Қувваи хамшавӣ	250–350 МПа	20–40 МПа
Муқовимати зарбаи гармӣ	Аъло	Бечора
Мӯҳлати хизматрасонӣ	3–5 сол	6–12 моҳ
Вазн	Сабук	Вазнин
Самаранокии энергетикӣ	Баланд	Паст
Хароҷоти нигоҳдорӣ	Паст	Баланд

Саволҳои зуд-зуд додашаванда – Шуълаҳои карбидии силикон

1. Ҳарорати максималии кори нурҳои карбидии кремний чанд аст?

Шуълаҳои карбидии кремний метавонанд боэътимод кор кунанд1380°C–1650°Cбе деформатсияи назаррас ё аз даст додани қувват. Диапазони дақиқ аз раванди истеҳсолӣ (бо реаксия пайвастшуда, бо фишори синтезшуда ё бо кристаллизатсияи SiC) вобаста аст.

2. Бартариҳои шуоъҳои SiC дар муқоиса бо шуоъҳои анъанавии оташгиранда кадомҳоянд?

Қувваи баландтар(қувваи хамшавӣ 250–350 МПа)
Мӯҳлати хизмати дарозтар(одатан 3-5 сол, 5-10 маротиба зиёдтар аз чӯбҳои анъанавӣ)
Вазни сабуктар, кам кардани сарбории сохтории танӯр
Муқовимати аълои зарбаи гармӣ, барои амалиётҳои зуд-зуд оғоз ва қатъ кардани танӯр мувофиқ аст
Истеъмоли камтари энергия, беҳтар кардани самаранокии гармидиҳӣ

3. Кадом шаклҳо ва андозаҳо мавҷуданд?

чӯбҳои мудаввар: Φ30–Φ80 мм
Шуъбаҳои чоркунҷаи яклухт: 30×30 мм – 100×100 мм
Чоркунҷаи холӣ / I-шаклтарҳҳои сабук барои масофаҳои калон
чӯбҳои фармоишӣ: мувофиқи расмҳо ва талаботи танӯр фармоишӣ сохта шудааст

Диапазони дарозӣ: 500–4500 мм (андозаҳои фармоишӣ дастрасанд).

Дар бораи мо

Ширкати XKH дар таҳия, истеҳсол ва фурӯши шишаҳои махсуси оптикӣ ва маводҳои нави булӯрӣ бо технологияи баланд тахассус дорад. Маҳсулоти мо ба электроникаи оптикӣ, электроникаи маишӣ ва низомӣ хизмат мерасонанд. Мо ҷузъҳои оптикии Sapphire, рӯйпӯшҳои линзаҳои телефонҳои мобилӣ, керамика, LT, SIC аз силикон карбид, кварц ва лавҳаҳои булӯрии нимноқилро пешниҳод менамоем. Бо таҷрибаи баланди касбӣ ва таҷҳизоти муосир, мо дар коркарди маҳсулоти ғайристандартӣ бартарӣ дорем ва ҳадафи он як корхонаи пешбари маводҳои оптоэлектронӣ бо технологияи баланд будан аст.