100мм 4дюймаи GaN дар вафли эпитаксиалии Sapphire Epi-қабати галлий нитриди эпитаксиалӣ

(1) Пӯшидани ҳарорати баланд, субстрати сапфир аввал дар атмосфераи гидроген то 1050 ℃ гарм карда мешавад, ҳадаф тоза кардани сатҳи субстрат аст;

(2) Вақте ки ҳарорати субстрат то 510 ℃ паст мешавад, қабати буферии пасти GaN/AlN бо ғафсии 30 нм дар рӯи субстрати сапфир ҷойгир карда мешавад;

(3) Баландшавии ҳарорат то 10 ℃, реаксияи гази аммиаки, триметилгаллий ва силан ворид карда мешаванд, мутаносибан суръати ҷараёни мувофиқро назорат мекунанд ва навъи GaN-и кремний-допшудаи N-и ғафсии 4um парвариш карда мешаванд;

(4) Гази реаксияи алюминийи триметилӣ ва галлий триметилӣ барои тайёр кардани континентҳои кремнийи N-намуди A⒑ бо ғафсии 0,15um истифода шуд;

(5) 50nm Zn-doped InGaN тавассути сӯзандоруи триметилгаллий, триметилиндий, диэтилцинк ва аммиак дар ҳарорати 8O0 ℃ ва назорати суръати ҷараёни гуногун мутаносибан омода карда шудааст;

(6) Ҳарорат то 1020 ℃ зиёд карда шуд, триметилалюминий, триметилгаллий ва бис (циклопентадиенил) магний барои омода кардани 0,15um Mg доруи P-намуди AlGaN ва 0,5um Mg глюкозаи P-намуди G ворид карда шуданд;

(7) Плёнкаи баландсифати P-намуди GaN Sibuyan бо роҳи гармкунӣ дар атмосфераи нитроген дар 700 ℃ ба даст оварда шудааст;

(8) Этинг дар сатҳи стазиси P-навъи G барои ошкор кардани сатҳи стазиси навъи N;

(9) Бухоршавии лавҳаҳои алоқаи Ni/Au дар сатҳи p-GaNI, бухоршавии лавҳаҳои алоқаи △/Al дар сатҳи ll-GaN барои ташкил кардани электродҳо.