2 дюйм 50,8 мм Sapphire Wafer C-Plane M-ҳавопаймо R-ҳавопаймо A-ҳавопаймо Ғафсӣ 350um 430um 500um
Мушаххасоти самтҳои гуногун
| Ориентация | C(0001)-Меҳвар | R(1-102)-Меҳвар | М(10-10) -Мехвар | A(11-20)-Мехвар | ||
| Моликияти ҷисмонӣ | Меҳвари С дорои нури кристаллӣ ва меҳварҳои дигар нури манфӣ доранд.Ҳавопаймои C ҳамвор аст, беҳтараш бурида мешавад. | Ҳавопаймои R каме сахттар аз А. | Ҳавопаймои M зинадор аст, буридан осон нест, буридан осон аст. | Сахтии A-ҳавопаймо нисбат ба C-ҳавопаймо ба таври назаррас баландтар аст, ки дар муқовимат ба фарсудашавӣ, муқовимат ба харошидан ва сахтии баланд зоҳир мешавад;Тарафи А-ҳавопаймо як ҳавопаймои зигзагист, ки буридан осон аст; | ||
| Барномаҳо | Субстратҳои сапфири ба C нигаронидашуда барои парвариши филмҳои гузошташудаи III-V ва II-VI истифода мешаванд, ба монанди нитриди галлий, ки метавонанд маҳсулоти кабуди LED, диодҳои лазерӣ ва замимаҳои детектори инфрасурх тавлид кунанд. | Рушди субстрат ба R нигаронидашудаи экстраситалҳои гуногуни кремнийӣ, ки дар микросхемаҳои интегралии микроэлектроника истифода мешаванд. | Он асосан барои парвариши филмҳои эпитаксиалии ғайриқутбӣ/нимполярии GaN барои баланд бардоштани самаранокии рӯшноӣ истифода мешавад. | A-ба замина нигаронидашуда як гузаранда/миёнаро ба вуҷуд меорад ва дараҷаи баланди изолятсия дар технологияи гибридии микроэлектроника истифода мешавад.Аз кристаллҳои дарозрӯяшудаи А-асоси суперноқилҳои баландҳарорати баланд истеҳсол кардан мумкин аст. | ||
| Иқтидори коркард | Substrate Pattern Sapphire (PSS): Дар шакли Рушд ё Etching, дар субстрат сапфир намунаҳои микроструктураи мушаххаси наномикёс тарҳрезӣ ва сохта шудаанд, то шакли баромади нури LED-ро назорат кунанд ва камбудиҳои дифференсиалиро дар байни GaN дар субстрати сапфир мерӯянд. , сифати эпитаксияро беҳтар кунед ва самаранокии квантии дохилии LED-ро баланд бардоред ва самаранокии истихроҷи нурро зиёд кунед. Илова бар ин, призмаи сапфир, оина, линза, сӯрох, конус ва дигар қисмҳои сохториро мувофиқи талаботи муштариён фармоиш додан мумкин аст. | |||||
| Эъломияи моликият | Зичии | Сахтӣ | нуқтаи обшавӣ | Индекси рефрактивӣ (намоён ва инфрасурх) | Интиқол (DSP) | Муқовимати диэлектрикӣ |
| 3,98 г/см3 | 9 (моҳ) | 2053℃ | 1.762 ~ 1.770 | ≥85% | 11,58@300K дар меҳвари C (9,4 дар меҳвари A) | |
Диаграммаи муфассал
