Найчаи кӯраи уфуқии силикон карбид (SiC)

Тавсифи мухтасар:

Найчаи кӯраи уфуқии кремний карбиди (SiC) ҳамчун камераи асосии раванд ва марзи фишор барои реаксияҳои фазаи газии ҳарорати баланд ва коркарди гармӣ, ки дар истеҳсоли нимноқилҳо, истеҳсоли фотоэлектрикӣ ва коркарди пешрафтаи мавод истифода мешаванд, хизмат мекунад.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед

Вижагиҳо

Диаграммаи муфассал

Мавқеъгирии маҳсулот ва пешниҳоди арзиш

Ин найча, ки бо сохтори якпорчаи SiC, ки бо иловаҳои истеҳсолшуда якҷоя бо қабати муҳофизатии зичи CVD-SiC сохта шудааст, гузаронандагии истисноии гармӣ, ифлосшавии ҳадди ақал, якпорчагии қавии механикӣ ва муқовимати аълои кимиёвиро таъмин мекунад.
Тарҳи он якрангии беҳтарини ҳарорат, фосилаҳои дарозтари хидматрасонӣ ва кори устувори дарозмуддатро таъмин мекунад.

Бартариятҳои асосӣ

Мутобиқати ҳарорати система, тозагӣ ва самаранокии умумии таҷҳизотро (OEE) беҳтар мекунад.
Вақти бекористии тозакуниро кам мекунад ва давраҳои ивазкуниро дароз мекунад ва арзиши умумии моликиятро (TCO) коҳиш медиҳад.
Камераи дарозмуддатро фароҳам меорад, ки қодир аст бо кимиёвии оксидитивӣ ва хлори бой дар ҳарорати баланд бо хатари ҳадди ақал кор кунад.

Атмосфераҳо ва равзанаи равандҳои татбиқшаванда

Газҳои реактивӣоксиген (O₂) ва дигар омехтаҳои оксидкунанда
Газҳои интиқолдиҳанда/муҳофизатӣ: нитроген (N₂) ва газҳои инертии ултра-тоза
Намудҳои мувофиқгазҳои дорои хлори кам (консентратсия ва вақти нигоҳдорӣ, ки аз рӯи дорухат назорат карда мешавад)

Равандҳои маъмулӣ: оксидшавии хушк/тар, тафсондан, диффузия, таҳшиншавии LPCVD/CVD, фаъолшавии сатҳӣ, пассиватсияи фотоэлектрикӣ, афзоиши функсионалии плёнкаи тунук, карбонизатсия, нитридатсия ва ғайра.

Шароити корӣ

Ҳарорат: ҳарорати хонагӣ то 1250 °C (вобаста ба тарҳи гармкунак ва ΔT, 10-15% ҳошияи бехатарӣ иҷозат дода мешавад)
Фишор: аз сатҳҳои вакуумии фишори паст/LPCVD то фишори мусбати наздик ба атмосфера (мушаххасоти ниҳоӣ барои ҳар як фармоиши харид)

Маводҳо ва мантиқи сохторӣ

Қуттии SiC-и монолитӣ (бо иловаҳои истеҳсолшуда)

β-SiC бо зичии баланд ё SiC бисёрфаза, ки ҳамчун як ҷузъ сохта шудааст - бе буғумҳо ё дарзҳои кафшершуда, ки метавонанд ихроҷ шаванд ё нуқтаҳои фишорро ба вуҷуд оранд.
Гузаронандагии баланди гармӣ имкон медиҳад, ки вокуниши зуди гармӣ ва якрангии аълои ҳарорати меҳварӣ/радиалӣ таъмин карда шавад.
Коэффисиенти паст ва устувори васеъшавии гармӣ (CTE) устувории андоза ва мӯҳрҳои боэътимодро дар ҳарорати баланд таъмин мекунад.

Пӯшиши функсионалии CVD SiC

Дар ҷой ҷойгиршуда, ултра-тоза (ифлосиҳои сатҳӣ/пӯшиш < 5 ppm) барои пешгирии пайдоиши зарраҳо ва ихроҷи ионҳои металлӣ.
Нотавонии аълои кимиёвӣ нисбат ба газҳои оксидкунанда ва хлордор, ки аз ҳамлаи девор ё дубора ҷойгиршавӣ пешгирӣ мекунад.
Имконоти ғафсии мушаххаси минтақа барои мувозинат кардани муқовимат ба зангзанӣ ва вокуниши гармӣ.

Фоидаи муштарак: бадани мустаҳками SiC мустаҳкамии сохторӣ ва гармигузарониро таъмин мекунад, дар ҳоле ки қабати CVD тозагӣ ва муқовимат ба зангзаниро барои эътимоднокӣ ва қобилияти ҳадди аксар кафолат медиҳад.

Ҳадафҳои асосии самаранокӣ

Ҳарорати истифодаи доимӣ:≤ 1250 °C
Ифлосҳои яклухти субстрат:<300 ppm
Ифлосҳои сатҳи CVD-SiC:< 5 ppm
Таҳаммулпазирии андозагирӣ: OD ±0.3–0.5 мм; коаксиалӣ ≤ 0.3 мм/м (танзимкунандатар дастрас аст)
Ноҳамвории девори дохилӣ: Ra ≤ 0.8–1.6 µm (пардозиши сайқалёфта ё қариб оинаӣ ихтиёрӣ)
Суръати ихроҷи гелий: ≤ 1 × 10⁻⁹ Па·м³/с
Устувории зарбаи гармӣ: аз давраи такрории гарм/сармо бе кафидан ё пошхӯрӣ тоб меорад
Васлкунии утоқи тоза: Синфи ISO 5–6 бо сатҳи тасдиқшудаи боқимондаҳои зарраҳо/металл-ионҳо

Конфигуратсияҳо ва имконот

Геометрия: OD 50–400 мм (аз рӯи арзёбӣ калонтар) бо сохтори дарози якпорча; ғафсии девор барои қувваи механикӣ, вазн ва ҷараёни гармӣ оптимизатсия шудааст.
Тарҳҳои ниҳоӣ: фланжҳо, даҳони зангӯла, найза, ҳалқаҳои ҷойгиркунӣ, чуқуриҳои ҳалқаи O ва портҳои фишори фармоишӣ ё насосӣ.
Портҳои функсионалӣ: гузариши термоҷуфтҳо, нишастгоҳҳои шишагии назоратӣ, вурудгоҳҳои гази гузариш — ҳама барои кори ҳарорати баланд ва беихроҷ тарҳрезӣ шудаанд.
Нақшаҳои пӯшишдевори дохилӣ (пешфарз), девори берунӣ ё пӯшиши пурра; муҳофизати мақсаднок ё ғафсии дараҷабандишуда барои минтақаҳои дорои зарбаи баланд.
Коркарди рӯизаминӣ ва тозагӣ: якчанд дараҷаҳои ноҳамворӣ, тозакунии ултрасадоӣ/DI ва протоколҳои фармоишии пухтан/хушккунӣ.
Лавозимот: фланжҳои графитӣ/керамикӣ/металлӣ, мӯҳрҳо, асбобҳои ҷойгиркунӣ, остинҳои коркард ва гаҳвораҳои нигоҳдорӣ.

Муқоисаи иҷроиш

Метрикӣ	СиC найча	Найчаи кварсӣ	Найчаи алюминий	Найчаи графитӣ
Гузаронидани гармӣ	Баланд, якхела	Паст	Паст	Баланд
Қувваи баланд / лағжиш дар ҳарорати баланд	Аъло	Ярмарка	Хуб	Хуб (ба оксидшавӣ ҳассос)
Зарбаи гармӣ	Аъло	Заиф	Мӯътадил	Аъло
Тозагӣ / ионҳои металлӣ	Аъло (паст)	Мӯътадил	Мӯътадил	Бечора
Оксидшавӣ ва химияи Cl	Аъло	Ярмарка	Хуб	Камбизоат (оксид мешавад)
Арзиш дар муқоиса бо мӯҳлати хизматрасонӣ	Мӯҳлати миёна / дароз	Паст / кӯтоҳ	Миёна / миёна	Миёна / муҳити маҳдуд

Саволҳои зуд-зуд додашаванда (FAQ)

С1. Чаро бояд корпуси SiC-и монолитӣ, ки бо чопи 3D чоп шудааст, интихоб кард?
A. Он дарзҳо ва кафшерҳоеро, ки метавонанд фишорро ихроҷ кунанд ё мутамарказ кунанд, бартараф мекунад ва геометрияҳои мураккабро бо дақиқии андозагирии мувофиқ дастгирӣ мекунад.

С2. Оё SiC ба газҳои дорои хлор тобовар аст?
A. Бале. CVD-SiC дар ҳудуди муайяншудаи ҳарорат ва фишор хеле инертӣ аст. Барои минтақаҳои дорои таъсири баланд, рӯйпӯшҳои ғафси маҳаллӣ ва системаҳои мустаҳками тозакунӣ/ихроҷ тавсия дода мешаванд.

С3. Чӣ тавр он аз найчаҳои кварсӣ беҳтар аст?
A. SiC мӯҳлати хизмати дарозтар, якрангии беҳтари ҳарорат, ифлосшавии камтари зарраҳо/металл-ионҳо ва беҳтаршудаи TCO-ро пешниҳод мекунад — махсусан аз ~900 °C боло ё дар атмосфераи оксидкунанда/хлордор.

С4. Оё найча метавонад ба болоравии босуръати гармӣ тоб оварад?
A. Бале, ба шарте ки дастурҳои максималии ΔT ва суръати рамп риоя карда шаванд. Ҷуфт кардани бадани SiC-и баланд κ бо қабати тунуки CVD гузаришҳои зуди гармиро дастгирӣ мекунад.

С5. Кай иваз кардан лозим аст?
A. Агар шумо тарқишҳои фланҷ ё канор, сӯрохиҳои рӯйпӯш ё паҳншавӣ, суръати афзоиши ихроҷ, лағжиши назарраси профили ҳарорат ё пайдоиши ғайримуқаррарии зарраҳоро мушоҳида кунед, найчаро иваз кунед.

Дар бораи мо

Ширкати XKH дар таҳия, истеҳсол ва фурӯши шишаҳои махсуси оптикӣ ва маводҳои нави булӯрӣ бо технологияи баланд тахассус дорад. Маҳсулоти мо ба электроникаи оптикӣ, электроникаи маишӣ ва низомӣ хизмат мерасонанд. Мо ҷузъҳои оптикии Sapphire, рӯйпӯшҳои линзаҳои телефонҳои мобилӣ, керамика, LT, SIC аз силикон карбид, кварц ва лавҳаҳои булӯрии нимноқилро пешниҳод менамоем. Бо таҷрибаи баланди касбӣ ва таҷҳизоти муосир, мо дар коркарди маҳсулоти ғайристандартӣ бартарӣ дорем ва ҳадафи он як корхонаи пешбари маводҳои оптоэлектронӣ бо технологияи баланд будан аст.