Вафли диоксиди кремний SiO2 вафли ғафси сайқалёфта, дараҷаи аввал ва санҷишӣ

Вафли диоксиди кремний SiO2 вафли ғафси сайқалёфта, тасвири тавсифшудаи дараҷаи аввал ва санҷишӣ

Тавсифи кӯтоҳ:

Оксидшавии гармидиҳӣ натиҷаи фош кардани вафли кремний ба омезиши агентҳои оксидкунанда ва гармӣ барои як қабати оксиди кремний (SiO2) мебошад .Ширкати мо метавонад флакҳои оксиди кремнийро бо параметрҳои гуногун барои мизоҷон танзим кунад, бо сифати аъло;ғафсии қабати оксид, паймонӣ, якрангӣ ва муқовимати кристаллӣ ҳама мувофиқи стандартҳои миллӣ амалӣ карда мешаванд.

Ба мо почтаи электронӣ фиристед

Тафсилоти маҳсулот

Тегҳои маҳсулот

Муаррифии қуттии вафли

Маҳсулот	Вафли оксиди гармидиҳӣ (Si+SiO2).
Усули истеҳсолот	LPCVD
Пардохти рӯизаминӣ	SSP/DSP
Диаметр	2 дюйм / 3 дюйм / 4 дюйм / 5 дюйм/ 6 дюйм
Навъи	Навъи P / навъи N
Ғафсии қабати оксидшавӣ	100нм ~ 1000нм
Ориентация	<100> <111>
Муқовимати барқ	0,001-25000(Ом•см)
Ариза	Барои интиқолдиҳандаи намунаи радиатсияи синхротронӣ, пӯшиши PVD/CVD ҳамчун субстрат, намунаи афзоиши пошидани магнетрон, XRD, SEM,Қувваи атомӣ, спектроскопияи инфрасурх, спектроскопияи флуоресцентӣ ва дигар субстратҳои санҷишии таҳлил, субстратҳои афзоиши эпитаксиалии чӯбҳои молекулавӣ, таҳлили рентгении нимноқилҳои кристаллӣ

Вафли оксиди кремний плёнкаҳои диоксиди кремний мебошанд, ки дар рӯи вафли кремний тавассути оксиген ё буғи об дар ҳарорати баланд (800 ° C ~ 1150 ° C) бо истифода аз раванди оксидшавии ҳароратӣ бо таҷҳизоти найҳои печҳои фишори атмосферӣ парвариш карда мешаванд.Ғафсии раванд аз 50 нанометр то 2 микрон аст, ҳарорати раванд то 1100 дараҷа гарм аст, усули афзоиш ба "оксигени тар" ва "оксигени хушк" ду намуд тақсим мешавад.Оксиди гармӣ як қабати оксиди "рӯёндашуда" мебошад, ки нисбат ба қабатҳои оксиди CVD ҷойгиршуда якрангии баландтар, зичии беҳтар ва қувваи диэлектрикӣ баландтар аст, ки дар натиҷа сифати олӣ мегардад.

Оксидшавии оксигени хушк

Кремний бо оксиген реаксия мекунад ва қабати оксид пайваста ба қабати субстрат ҳаракат мекунад.Оксидшавии хушк бояд дар ҳарорати аз 850 то 1200 ° C бо суръати пасти афзоиш анҷом дода шавад ва мумкин аст барои афзоиши дарвозаи изолятсионии MOS истифода шавад.Вақте ки қабати оксиди кремнийи баландсифат ва ултра борик лозим аст, оксидшавии хушк бар оксидшавии тар бартарӣ дода мешавад.Иқтидори оксидшавии хушк: 15nm ~ 300nm.

2. Оксидшавии тар

Ин усул буги обро барои ба вуҷуд овардани қабати оксид тавассути ворид шудан ба найчаи танӯр дар шароити ҳарорати баланд истифода мебарад.Зичии оксидшавии оксигени тар нисбат ба оксидшавии оксигени хушк каме бадтар аст, аммо дар муқоиса бо оксидшавии оксигени хушк бартарии он дар он аст, ки он суръати афзоиши баландтар дорад, ки барои афзоиши филми зиёда аз 500 нм мувофиқ аст.Иқтидори оксидшавии тар: 500nm ~ 2µm.

Қубури кӯраи оксидшавии фишори атмосферии AEMD як қубури уфуқии чехӣ мебошад, ки бо устувории баланди раванд, якрангии хуби филм ва назорати олии зарраҳо хос аст.Қубури кӯраи оксиди кремний метавонад дар як қубур то 50 вафлиро коркард кунад, ки якрангии аълои дохили ва байни вафлиро дорад.