SiO2 Филми тунуки оксиди силикон вафли 4 дюйм 6 дюйм 8 дюйм 12 дюйм

Раванди асосии истеҳсоли вафли кремнийи оксидшуда одатан марҳилаҳои зеринро дар бар мегирад: афзоиши кремнийи монокристаллӣ, буридан ба вафлиҳо, сайқал додан, тоза кардан ва оксидшавӣ.

Афзоиши кремнийи монокристаллӣ: Аввалан, кремнийи монокристаллӣ дар ҳарорати баланд бо усулҳо ба монанди усули Czochralski ё усули Float-zone парвариш карда мешавад.Ин усул имкон медиҳад, ки як кристаллҳои кремний бо тозагии баланд ва якпорчагии торҳо тайёр карда шаванд.

Буридани: Кремнийи монокристалии парваришшуда одатан дар шакли силиндрӣ аст ва бояд ба вафли борик бурида шавад, то ҳамчун субстрат вафли истифода шавад.Буридан одатан бо бурандаи алмос анҷом дода мешавад.

Сайёдкунӣ: Сатҳи вафли бурида метавонад нобаробар бошад ва барои ба даст овардани сатҳи ҳамвор сайқал додани кимиёвӣ-механикӣ талаб карда мешавад.

Тоза: Вафли сайқалёфта барои тоза кардани ифлосиҳо ва чанг тоза карда мешавад.

Оксидизатсия: Ниҳоят, вафли кремний ба як кӯраи баландҳарорати муолиҷаи оксидкунӣ гузошта мешавад, то як қабати муҳофизатии диоксиди кремнийро барои беҳтар кардани хосиятҳои электрикӣ ва қувваи механикии он, инчунин ҳамчун қабати изолятсия дар микросхемаҳои интегралӣ хидмат кунад.

Истифодаи асосии пластинҳои кремнийи оксидшуда истеҳсоли микросхемаҳои интегралӣ, истеҳсоли ҳуҷайраҳои офтобӣ ва истеҳсоли дигар дастгоҳҳои электронӣ мебошанд.Вафли оксиди кремний аз сабаби хосиятҳои хуби механикӣ, устувории андозагирӣ ва химиявӣ, қобилияти кор кардан дар ҳарорати баланд ва фишори баланд, инчунин хосиятҳои хуби изолятсия ва оптикӣ дар соҳаи маводи нимноқил васеъ истифода мешаванд.

Афзалиятҳои он сохтори пурраи кристаллӣ, таркиби химиявии пок, андозаҳои дақиқ, хосиятҳои хуби механикӣ ва ғайраро дар бар мегиранд. Ин хусусиятҳо вафли оксиди кремнийро махсусан барои истеҳсоли микросхемаҳои интегралӣ ва дигар дастгоҳҳои микроэлектронӣ мувофиқ мекунанд.